杜仲的育苗及栽培技术要点

杜仲是中国的特有种。分布于陕西、甘肃、河南（淅川）、湖北、四川、云南、贵州、湖南、安徽、陕江西、广西及浙江等省区，现各地广泛栽种。

苗木繁育
杜仲的繁殖方法较多，常见的有播种育苗法、插枝法、余根培苗法和苗根育苗法。
(1)播育苗
首先选育优良种子，然后进行播种育苗。从生长发育健壮、树皮光滑、无病虫害和未经剥皮利用的20年生左右的壮年树上采集种子，每公斤种子约7000～20000粒，发芽率一般为60％～80%，采集后的种子放在通风阴凉处阴干，忌用火烘或烈日暴晒，阴干后的种子经过净种后才可贮藏。种子出苗后，注意中耕除草，浇水施肥。幼苗忌烈日，要适当遮荫，旱季要及时喷灌防旱，雨季要注意防涝。结合中耕除草追肥4-5次，每次每亩施尿素1-1.5千克，或腐熟稀粪肥3000-4000克。实生苗若树干弯曲，可于早春沿地表将地上部全部除去，促发新枝，从中选留1个壮旺挺直的新枝作新干，其余全部除去。

定植
1-2年生苗高达1米以上时即可于落叶后至翌春萌芽前定植。幼树生长缓慢，宜加强抚育，每年春夏应进行中耕除草，并结合施肥。秋天或翌春要及时除去基生枝条，剪去交叉过密枝。对成年树也应酌情追肥。北方地区8月停止施肥，避免晚期生长过旺而降低抗寒性。
，而浸种催芽的干藏种子则需25～30天，每亩产苗量约2～3万株。
(2)插枝法
采用当年春天抽芽并带有嫩叶的枝条，剪成5～6 cm长的插穗，每个插穗留腋芽3个，为减少水分蒸发，需剪去每片叶子的一半，于5月扦插。扦插地上层为沙土，厚2～3cm，下层保持土壤疏松，插穗入土1.5～2cm，株行距4～8cm，扦插后必须注意洒水与遮荫。6～7天后，插穗即可产生愈伤组织，18～30天后即生出小根。

(3)余根培苗法
此法是在春季起苗时，只挖出苗木全部根系的3/5左右，使被挖断的2/5的根仍留在土内，待起苗完毕后，将苗床上的表土取出一层，使断根一端稍微露出土面，萌生新的幼苗，利用这种方法培育苗木，其成活率高，生长也快。
(4)苗根育苗法
利用起苗中修剪下来的较粗的根，一般采用0.5 cm以上，切成5～6 cm长的根段进行扦插，成活率可达95％以上。另外也可挖取青壮年树的根系进行扦插，成活率也较高，苗木生长粗壮。
(5)苗期管理
在杜仲幼苗期，必须加强管理，及时作好中耕除草、施肥和灌溉排水等工作。当幼苗刚出土期间，只宜用手拔出杂草，避免伤及幼苗，当苗木生长3～4片真叶时，除第二次草，8月之前每月除草1～2次，经常保持苗圃无草，土壤疏松。4～8月为苗木追肥期，施肥以少量多次为好，随苗木长高，施肥量随之增加，每亩施尿素5～10 kg，施肥与中耕除草同时进行。在灌水方面，少雨地区、干旱季节应勤灌溉，保持土壤湿润，多雨地区、洪涝季节要设排水沟，避免土壤积水。

栽培技术
杜仲为阳性树种，最适宜生长在土壤深厚、肥沃湿润、排水良好、pH在6～7.5之间的土壤上，山脚、山腰、坡度不大的阳坡生长较好，其幼苗期略加遮荫为好。在营造杜仲林时应选择南坡、东南坡的山腰或山腰中下部，土壤酸性过强或碱性过重均不宜杜仲生长。除成片大面积营造杜仲林外，还需充分利用四旁及田间地埂栽植。这些地方光照充足，土壤水肥条件良好，便于管理，有利于杜仲的生长发育。
(1)造林整地
整地宜在秋季进行。对荒芜、半荒芜的宜林山地要进行炼山。坡度在100以上，必须梯田整地，造林挖穴规格70 × 70× 70cm，每穴施土杂肥10 kg，磷肥0.5kg、腐熟饼肥0.5kg，坡度250以上不宜造林。
(2)造林技术
杜仲造林可在春、秋季进行，寒冷地区宜在春季进行。造林密度主要根据作业方式和立地条件而定，一般造林密度为1.5×2m，2×2m，2×3m。为了保证杜仲有性繁殖的进行，雄株在造林中占5％～10％的比例为好。秋栽9～10月，春栽在3～4月。栽后要立即灌水，及时摘去侧芽，促其成活。在幼林期内可以间作豆科作物，既增加收益，又改良土壤，促进树木生长。
抚育管理
杜仲幼林管理很重要，造林1年后，春季幼树萌动前15天将主干剪去，平茬部位2～4 cm处，苗高2m以上的2年生苗圃平茬苗或嫁接苗，栽植后不再平茬。平茬后，剪口处会萌发许多萌条，留一粗壮萌条，其余除去；留下的萌条在生长过程中腋芽会萌发，必须抹去下部腋芽，抹芽高度为苗高的1/3～1/2处。幼树未能及时抹芽而长成过多、过低侧枝时，主干2m以下的小侧枝须从基部剪除。要加强土肥管理，第一次松土在4月上旬以前进行，第二次松土、除草在5月或6月上旬进行，杂草翻晒在林地上或制成堆肥，腐熟施用。施肥与松土、除草同时进行，每亩施10kg氮肥和20kg磷肥。幼林期需与豆科作物间作，以耕代抚，造林后第二年对缺株进行补植，补植用2年生一级苗。
杜仲成林管理与其它经济林树种相似，每年冬季进行深翻，夏季进行中耕除草，结合中耕除草施肥，施肥量根据树龄大小每亩施农家肥1000～2000kg，复合肥50kg或磷酸二铵40kg。