勋章菊的种植育苗方法

勋章菊的种植方法介绍：勋章菊宜在光照充足的地方栽培。施肥整地后，做成0.50～0.53米宽的垄或1米宽的畦，每垄栽1行，每畦栽2行，株距33～40厘米，栽时浇垵水。及时除草松土，大面积垄作的应铲趟几遍，保持土壤疏松和无杂草。因株型紧凑，不用摘心。种子成熟后及时采收，种子量较少。勋章菊耐低温，不怕霜，但不能忍耐长时间冰冻，较温暖地区冬季来临前需覆盖越冬，北方寒冷地区不能露地越冬。

勋章菊播种育苗春育苗从播种到开花需85天左右，每平方米苗床播种量15克左右。撒播，种子上面覆盖细土0.8厘米左右。控制地温18～21℃，播下种子3天出苗。有1对真叶时移苗，用直径8厘米左右的容器，或开沟按8厘米的株行距栽下种苗。苗期控制气温15～25℃，土壤水分控制适中，要充分见光。定植前5～7天降温，加大通风，适度控水炼苗。无霜后定植露地。

勋章菊分株繁殖在春季茎叶生长前，将越冬的母株挖出，盆栽的将母株从花盆倒出，用刀在株丛的根颈部纵向切开，分成若干丛，每丛必须带芽和根系。

勋章菊扦插繁殖室内栽培全年都可进行扦插，露地栽培的在春、秋凉爽季节进行扦插。用芽作插穗，留顶端2片叶，如叶片大，可剪去1/2，以减少叶面水分蒸发。插入沙床里，控温20～25℃，保持较高的空气湿度，一般扦插后20～25天生根。如果用1000毫克/千克吲哚丁酸药液处理1～2秒钟，能加速生根。生根后移入直径8厘米的容器中栽培。

勋章菊种子每克400至450粒，播种介质的pH值为5.8至6.0，播种后稍覆土，育苗分四个阶段。

第一阶段：主根展出，需要4至6天，介质保持偏干，用蛭石覆盖较好，以保持适当的湿度，介质温度维持在21℃至24℃，介质EC值在0.5至0.75较为适宜，发芽不需要光照。

第二阶段：发芽基本完成，主根开始伸展，达到2厘米左右，真叶开始展出，湿度不能太大，必须在表土干燥后再稍微补充部分水分，介质温度在18℃至20℃，用以钙为基础的复合肥料（14－2－14－6Ca－3Mg）按50ppm至75ppm的浓度施肥壮苗，介质EC值为0.75至1.0，如果采用加入营养启动剂的进口泥炭育苗，则此阶段不需要施肥。此阶段易弱光，每天14至16小时的长日照有利于壮苗。

第三阶段：主根已经较为发达，长度4至5厘米，幼苗已经有一片真叶发育完全，湿度控制的干湿变化周期为24小时，这样有利于控制生长。介质温度、光照强度、介质EC值同第二阶段，每周施肥1至2次，施肥浓度可增加到100ppm至150ppm，以氮肥为主。如果采用进口泥炭育苗，此阶段也不需要施肥。同时可用2500ppm的矮壮素比久（B－9）喷施。

第四阶段：根系已充分生长，形成根团，幼苗已有3至4片真叶，该阶段的湿度、光照、施肥及EC值均不需要改变，温度调节至16℃至18℃，如有必要，可再喷一次矮壮素比久（B－9），浓度为2500ppm。